二化锗（ges2)

1,物理性质：

白色粉末，正交晶系结构

密度：2.19g/cm3

熔点：800℃。

2，合成工艺：1mol高纯的锗与2mol高纯在高温高压下真空熔炼，后续处理后再进行区熔；

3，纯度：5n(99.999%)

3，检测：icp-ms（所有的杂质元素低于10ppm),xrd(无一化锗的杂相）;

4, 包装：三层真空包装或充气保护；

5，服务：提供免费样品，msds及实用的防护措施；

6，应用：科研，具体不详。

公司12年来共研制开发出40余项半导体化合物材料： 碲系化合物： 碲化铜(cute)，碲化铟( inte)，碲化锌(znte)，p/n三碲化二铋(bi2te3)，二氧化碲(teo2)... 系化合物： 三化二(ga2s3)，二化锗(ges2)，化锌(zns)，化锡(sns)，三化二铟(in2s3)，化亚铜（cu2s）... 无氧及系化合物: 三化二(ga2se3)，化亚铜(cu2se)，三化二铟(in2se3)，化锌(znse)，化铋(bi2se3)... 系化合物： 无水三化铟(incl3)，无水三化(gacl3)，无水化亚铟(incl)... 氧系化合物： 4n-5n三氧化二(ga2o3)，4n-5n氧化锌(zno)，5n-6n 三氧化二铟(in2o3)，5n 三氧化二铋(bi2o3)，4n-5n 三氧化二锑（sb2o3）... 铜铟（cigs）系列材料. 靶材：氧化锌靶，氧化锌铝靶，铜铟靶，三化二铟靶，化亚铜靶材... 公司现有工艺及设备： 1，电解装置4套：回收电解铜，电解铅锌矿的阳极泥；高纯铟的电解，特别是除去里面的杂质锡。 2，真空蒸馏装置12套：根据杂质不同的饱和蒸气压，采用真空蒸馏的方法将其去除。 3，区域熔炼炉10套。 4，单间提拉炉12套。 5，cvd 化学气相沉积设备3套。 6，pvd装置2套。 7，真空熔炼炉15套。 8，thm 移动式加热设备。 9，化炉3套（高纯锑），化还原炉3套。 公司现有的检测设备： 1，icp-ms;icp-oes (适用范围：检测<99.999% 纯度的产品） 2，xrd （化合物的相结构分析） 3，激光粒度分析仪（粉末粒径） 4，对于99.9999%以上的产品，提供gdms 外检指标（送eag外检） 研发、生产、销售：半导体材料、光电材料，货物技术的进出口业务